اعلان

بدء انتاج ذاكرة تخزين داخلية بسعة 256 جيجابايت للأجهزه الذكيه من سامسونج





قامت شركة "سامسونج" بالإعلان عن بدء إنتاج ذواكر تخزين داخليه بسعة 256 جيجا بايت ، قالت بانها الاولى من هذا النوع ، وتعتمد في صناعتها على معيار " التخزين الومضي العالمي 2.0" "Universal Flash Storage " .
كما ان الشركة قالت بان أداء هذه الوحدات التخزينيه سوف تتفوق بالأداء على وحدات التخزين من نوع "SSD" الخاصه بالحواسيب وسوف تقدم ضعف سرعتها .
وصرحت الشركه بأن الذواكر القائمه على معيار "UFS" تلبي الاحتياجات للأجهزه الذكيه ذات المواصفات العاليه جدا .
وأما بالنسبه للذواكر الجديده المسماه "V-NAND" وهي الاكثر تقدماً قادره على التعامل مع عمليات ادخال وأخراج تصل إلى 40,000 - 45,000 عمليه بالثانيه الواحده أي أنها تصل إلى ضعف سرعه ذواكر الجيل السابق "UFS" .

وذكرت الشركه بأن الذواكر الجديده بحجم 256 جيجابايت قادره على نقل 850 ميجابايت بالثانيه الواحده أي ضعف سرعه الذواكر من نوع "SSD" الخاصه بالحواسيب الشخصيه .
وبكل بساطه يمكننا القول بأنه مع هذه السرعات والمواصفات في نقل البيانات يمكن للشخص مشاهده فيديو ذو دقه عاليه وتعدد المهام في نفس الوقت ، مثلا يمكن للشخص تقسيم شاشه الجهاز جزء لمشاهده فيديو ذو دقه " 4K Ultra HD" وعلى الجزء الاخر يمكنه بالبحث عن ملفات او عمل أي مهمه اخرى .
ومن المتوقع بأن أول الأجهزه التي سوف تحمل هذه الذاكره هو الجهاز اللوحي المرتقب من "سامسونج" لهذا العام وهو "جالكسي نوت 6" .







ليست هناك تعليقات

قم بشكرنا من خلال تعليق